IBM公司與Molecular Imprints Inc.(MII)正合作開發(fā)介電材料，以推動面向主流芯片制造的納米壓印光刻(nano-imprint lithography)技術(shù)的開發(fā)。這是MII聯(lián)合創(chuàng)始人兼美國德州大學(xué)化學(xué)工程系教授Grant Wilson日前在SPIE微光刻研討會上透露的。

    Wilson表示，IBM和MII正合作開發(fā)一種旋涂玻璃(spin-on glass)，也稱“photo-imagable”介電質(zhì)，這種材料用于納米壓印光刻的后端線(back-of-line，BEOL)加工。這表明納米壓印光刻又有了新的應(yīng)用空間。目前該技術(shù)主要用于MEMS制造、存儲媒體和相關(guān)應(yīng)用。

    MII在SPIE上發(fā)表了一篇論文，題為《面向雙大馬士革(dual damascene)加工的直接介電材料壓印技術(shù)》。在論文中，MII聲稱，與傳統(tǒng)光刻技術(shù)相比，納米壓印光刻能減少雙大馬士革芯片制造1/3的工序。

    “通過采用帶兩層圖形的印刷模板，一個壓印光刻工序就替代了兩個光刻工序。”MII論文稱。“如果印刷光阻材料采用功能介電材料，效率還有可能進(jìn)一步提高。”