科研實驗專項使用氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm³，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 二氧化鉿 化學式 HfO2 沸點 5400℃

分子量 210.49 熔點 2758℃ 密 度 9.68g/cm3

純度 99.99%

強烈建議陶瓷化合物靶材綁定背靶使用。陶瓷靶材質(zhì)脆，受熱不均勻易裂。不建議超過3mm。 推薦綁定銅背靶，以增強導熱導電性。減少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生裂靶情況，綁定背靶后，可以提高化合物靶材的導熱性能，提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率，從而提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

可根據(jù)您的要求定制各類特殊合金靶材，各種合金配比、靶材形狀（平面靶、多弧靶、旋轉(zhuǎn)靶及其它異形靶材）、尺寸規(guī)格均可定制。歡迎咨詢。

北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司創(chuàng)建于2016年,是國內(nèi)有色金屬行業(yè)綜合性研究開發(fā)公司。 現(xiàn)有員工100余人。我公司光學鍍膜材料中心以國內(nèi)的技術(shù)，多年來一直有經(jīng)驗從事光學鍍膜材料及濺射靶材的研發(fā)與生產(chǎn)。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復合物、金屬及合金等，也可根據(jù)您的要求量身定做。通過嚴格控制生產(chǎn)、并持續(xù)改進、穩(wěn)步發(fā)展，致力為客戶提供的產(chǎn)品。 公司現(xiàn)有靶材熱壓爐；真空蒸餾裝置，電解槽，單晶爐，區(qū)熔裝置，CVD（化學氣象沉積）裝置，PVD（物理氣象沉積）裝置，移動式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產(chǎn)研發(fā)設(shè)備；提純工藝包括：真空蒸餾；精餾；區(qū)域熔煉；電解；化學氣象沉積；物理氣象沉積；熱擴散；單晶提拉法等。純度從99.9%-99.99999%,公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及工具/裝飾鍍膜、玻璃鍍膜、光學鍍膜、平面顯示/觸摸屏鍍膜、薄膜太陽能鍍膜等多個領(lǐng)域廣泛應用到國內(nèi)外眾多知名太陽能、航空航天、生物健康、軍工微電子、信息儲存、汽車、船舶、裝飾、工業(yè)鍍膜、新能源企業(yè)當中。 自有設(shè)備：真空熱壓爐，真空中頻感應熔煉爐，冷坩堝懸浮熔煉爐，非自耗真空電弧爐，真空高溫加熱爐，真空燒結(jié)爐，真空蒸餾爐，定向凝固，區(qū)域熔煉爐，多溫區(qū)加熱爐，單晶爐，高溫燒結(jié)爐，單溫區(qū)，雙溫區(qū)、多溫區(qū)液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設(shè)備。 北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司幾年來已先后與國內(nèi)幾十家知名高校、中科院等研究院所建立了長期友好的合作關(guān)系，并與這些科研單位有密切的學術(shù)交流和技術(shù)合作項目，并遠銷歐洲、美國、日本、韓國等，在鍍膜行業(yè)擁有良好的聲譽。

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