【中玻網(wǎng)】液晶玻璃因其獨特的組成及工藝特性，通常窯爐采用電加熱為主、燃?xì)饧訜釣檩o的熔制方式，因窯內(nèi)玻璃液流動及電較磚材質(zhì)與池壁磚材質(zhì)差異，造成窯爐侵蝕速度快，電較磚侵蝕速度大于池壁磚侵蝕速度，與池壁磚結(jié)合部易侵蝕形成凹槽，進(jìn)而加快池壁磚侵蝕，窯爐運行后期存在嚴(yán)重安全隱患，窯爐運行壽命較短。為了進(jìn)一步延長窯爐使用壽命，減緩窯爐侵蝕速度，為窯爐運行后期提供安全保障，需采取相關(guān)措施。

　　目前玻璃行業(yè)主要通過調(diào)整窯爐外部冷卻風(fēng)量、對窯爐薄弱部位加強冷卻，對滲漏部位進(jìn)行貼磚、貼水包，達(dá)到減緩窯爐侵蝕速度，保障窯爐運行安全的目的。對于液晶玻璃窯爐，在借鑒上述手段的同時，結(jié)合液晶玻璃窯爐的特點，從設(shè)備、工藝方面著手，制定減緩窯爐侵蝕速度、保障窯爐后期運行安全的措施，延長窯爐使用壽命。

　　1、液晶玻璃窯爐結(jié)構(gòu)及熔制過程

　　液晶玻璃窯爐結(jié)構(gòu)示意圖見圖1。液晶玻璃熔制過程中，電能占總能量的75％左右，燃?xì)饽苷伎偰芰康?5％左右。電較磚嵌于窯爐兩側(cè)池壁，電較磚與玻璃液接觸面池壁磚內(nèi)表面齊平，電較磚下沿略高于池底鋪面磚，電較磚上沿低于玻璃液面。同一直線（與玻璃液流向垂直）上的兩組電較磚為一對電較，玻璃熔制過程中通過對各對電較間加載一定的電流，在一定溫度下玻璃液在電流的作用下使電能轉(zhuǎn)化為熱能，對配合料和碎玻璃的混合物進(jìn)行熔制。天然氣燒槍布置于窯爐兩側(cè)胸墻上，確保窯爐上部空間溫度穩(wěn)定，對配合料的熔制起輔助作用。液晶玻璃窯爐采用兩臺密閉式螺旋加料機，同時將配合料輸送進(jìn)入窯內(nèi)的加料方式，在螺旋加料機下料點位置形成兩個明顯的錐形料山。

　　圖1窯爐結(jié)構(gòu)立視圖

　　2、磚材侵蝕及窯爐后期運行安全措施

　　2.1電較磚與池壁磚差異引起的侵蝕及措施

　　目前，液晶玻璃窯爐使用的電較磚多為以氧化錫為主的電較磚，池壁磚為含鋯量較高的電熔剛玉磚、高鋯磚等耐侵蝕材料。窯爐運行過程中，電較間加載電流，電較磚內(nèi)表面溫度遠(yuǎn)大于相鄰池壁磚溫度，同時在高溫環(huán)境下電較磚耐侵蝕性小于池壁磚，致窯內(nèi)電較磚的侵蝕速度遠(yuǎn)高于池壁磚的侵蝕速度。窯爐運行一段時間后，由于電較磚侵蝕量大于池壁磚侵蝕量，導(dǎo)致窯內(nèi)于電較磚處形成凹槽，如圖2所示，凹槽邊沿處的池壁磚因玻璃液的機械沖刷加劇，侵蝕速度同樣加快。窯爐運行后期電較磚與池壁磚薄弱處存在明顯的透紅光、磚縫處存在玻璃液擠出等異�，F(xiàn)象，窯爐運行存在嚴(yán)重的安全隱患。

　　相應(yīng)措施：定期對電較磚進(jìn)行推進(jìn)作業(yè)。推進(jìn)原則：減小推進(jìn)動作對生產(chǎn)的影響，實行少量多次。在不改變電較磚材質(zhì)、外觀、安裝位置等客觀條件下，電較磚侵蝕速度高于池壁磚侵蝕速度的情況必然存在。為了減輕因電較磚侵蝕形成凹槽導(dǎo)致池壁磚侵蝕加快的情況，通過定期對玻璃成分進(jìn)行測量分析，計算玻璃中氧化錫含量，進(jìn)而得出電較磚侵蝕總量，根據(jù)電較磚與玻璃液接觸面積可計算出電較磚侵蝕厚度和侵蝕速度（mm/月），根據(jù)實際生產(chǎn)情況定期對電較進(jìn)行推進(jìn)作業(yè)，減小電較磚與相鄰池壁磚形成凹槽高層度，降低池壁磚侵蝕速度。推進(jìn)時間間隔不應(yīng)大于12個月/次，避免因長期不調(diào)整導(dǎo)致的凹槽過深，凹槽面積擴大，推進(jìn)后緩解效果不明顯。同時各對電較磚安裝位置不同，相應(yīng)的侵蝕量也存在一定差異。一般情況下熱點附近，玻璃液溫度較高且對流強烈，該位置附近的電較磚侵蝕相對較其他位置大，推進(jìn)量可適當(dāng)增加，其他位置相應(yīng)減小。

　　圖2電較磚侵蝕

　　2.2玻璃液流動產(chǎn)生的侵蝕及措施

　　液晶玻璃窯爐內(nèi)玻璃液的流動情況如圖3所示。配合料進(jìn)入窯內(nèi)后，一部分于玻璃液表層形成料山并向前緩慢推進(jìn)，一部分向下運動后再隨玻璃液向前運動。于熱點處，因玻璃液上下對流強烈，玻璃液由在下層流動轉(zhuǎn)變?yōu)樵谏蠈恿鲃�。至流液洞處玻璃液向下運動流出。期間玻璃液在熱點前后形成兩股環(huán)流，靠近熱點處的環(huán)流流向均為向上運動。在流液洞處，流液洞上下形成兩股渦流，渦流加劇了玻璃液對流液洞周圍磚材的侵蝕。