【中玻網(wǎng)】時(shí)�；孟�，晶硅與薄膜就像皇宮里的皇后與妃嬪。一直以來，在太陽能電池的世界里，似乎薄膜太陽能電池只能是“妃嬪”，晶硅電池才是堂堂“皇后”，而CIGS成了妃嬪當(dāng)中與“皇后”爭(zhēng)寵的佼佼者。當(dāng)然，現(xiàn)實(shí)中的晶硅與薄膜之爭(zhēng)不像宮斗戲中的爾虞我詐、勾心斗角，它們相對(duì)純真，只不過簡(jiǎn)單地想分個(gè)高低成為市場(chǎng)主角而已。
　　
　　還記得9月份的光伏大佬喊話嗎？天合光能的高紀(jì)凡、保利協(xié)鑫的舒樺、英利集團(tuán)的宋登元等，無不力撐晶硅，直指薄膜路線薄弱之處。一時(shí)媒體圍觀的氛圍，險(xiǎn)些要走火。
　　
　　不過，薄膜電池似乎也不甘落后。10月16日，德國(guó)高科技設(shè)備制造商Manz集團(tuán)在北京宣布研制出CIGS薄膜太陽能電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換率由21%提升至21.7%，再次刷新世界紀(jì)錄，不得不令人刮目相看。
　　
　　我們知道，身為多元化合物薄膜太陽能電池的重要一員，CIGS薄膜電池技術(shù)是目前行業(yè)內(nèi)公認(rèn)的較有工業(yè)化前景的薄膜發(fā)電技術(shù)，更被全部稱為下一時(shí)代較有前途的廉價(jià)太陽電池之一。它所具備的特別的優(yōu)點(diǎn)，無不顯示出其強(qiáng)烈的存在感。也正是這種日漸強(qiáng)烈的存在感與巨大潛力，讓晶硅與薄膜之爭(zhēng)更趨白熱化。
　　
　　只不過前些年，光伏薄膜組件的發(fā)展相對(duì)低迷，雪上加霜的是陸續(xù)有國(guó)內(nèi)外公司關(guān)閉了薄膜業(yè)務(wù)，從較早的歐瑞康到近期的杜邦，都因薄膜業(yè)務(wù)無法帶來有效利潤(rùn)增長(zhǎng)而放棄。但即使是這樣，以Manz等為代表的制造商卻依舊大力推廣薄膜，尤其是CIGS。
　　
　　莫非其是想展示“明知山有虎，偏向虎山行”的霸氣？筆者以為，怕是“醉過方知酒濃，愛過方知情重”。
　　
　　優(yōu)勢(shì)對(duì)比
　　
　　雖然有生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)瓶頸的制約，但在CIGS薄膜太陽能電池四十多年的發(fā)展中，其研發(fā)不斷取得打破，相比于晶體硅電池的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)也在日益突顯。有時(shí)甚至覺得CIGS可謂是點(diǎn)著晶體硅的“死穴”在發(fā)展。
　　
　　比如，CIGS薄膜太陽能電池光吸收能力強(qiáng)，可吸收光譜波長(zhǎng)范圍廣，與同一瓦數(shù)級(jí)別的晶硅太陽能電池相比，每天可以超出至少10%比例的總發(fā)電量。
　　
　　又比如，晶硅電池有光致衰減的特性，其發(fā)電效能會(huì)逐漸減退，而CIGS太陽能電池則沒有光致衰減特性，發(fā)電穩(wěn)定性高。晶硅太陽能電池長(zhǎng)時(shí)間發(fā)電后，或多或少存在熱斑現(xiàn)象，維護(hù)費(fèi)用高，而CIGS太陽能電池能采用內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，所需維護(hù)費(fèi)用相對(duì)較低。
　　
　　再比如，生產(chǎn)成本低，組件轉(zhuǎn)換效率逼近晶體硅組件。主要構(gòu)成CIGS太陽能電池的金屬元素不是貴重金屬，原材料需求量也不高，成本下降空間大，但其轉(zhuǎn)換效率并不低，能源回收周期也短，這與成本下降有限的晶體硅電池相比，實(shí)在是很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
　　
　　實(shí)例對(duì)比
　　
　　很多時(shí)候，筆者都覺得薄膜技術(shù)路線還很需要時(shí)間，現(xiàn)在各業(yè)內(nèi)人士以及媒體的捧殺，都沒有安安心心做出一個(gè)好的工程案例來得厚實(shí)。既然說到對(duì)CIGS的鐘愛，筆者也查閱了一些過往實(shí)例。
　　
　　據(jù)記載，2008年9月，西班牙建成了的3.24兆瓦銅銦鎵硒電站，并成功運(yùn)行。
　　
　　在我國(guó)國(guó)內(nèi)，也已經(jīng)有人嘗到了甜頭。兩年多前投建的云南石林1MWCIGS薄膜電池并網(wǎng)發(fā)電項(xiàng)目，到如今已經(jīng)成功運(yùn)行一年多了。我們來看一組數(shù)據(jù)：使用Manz組件的云南石林1MWCIGS薄膜電站，就占地面積來說，按照多晶硅組件轉(zhuǎn)化率15%，CIGS組件14.6%來計(jì)算，CIGS占地面積是多晶硅的1.028倍，超出2.8%。雖然多晶硅單片轉(zhuǎn)換效率已可超18%，但封裝組件之后也僅有15-16%左右，而CIGS組件不存在封裝的問題。假設(shè)日滿發(fā)時(shí)間為4小時(shí)，發(fā)出10000千瓦時(shí)電量時(shí)，多晶硅組件面積為16666㎡，而CIGS模組為15566㎡，節(jié)約6.4%。計(jì)算模組單位面積（1㎡）發(fā)電量，同樣假設(shè)滿發(fā)時(shí)間4小時(shí)，則晶硅發(fā)電0.6千瓦時(shí)，CIGS發(fā)電0.642千瓦時(shí)，超出7%。