陶瓷靶材在現(xiàn)有的復(fù)雜電子產(chǎn)品制造中，只不過(guò)占工程的較少部分，但起到了信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)先導(dǎo)材料的作用。我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，陶瓷濺射靶材的需求逐年增多，未來(lái)對(duì)陶瓷濺射靶材的研究和開發(fā)，是我國(guó)靶材供應(yīng)商的一個(gè)重要的課題。

　　隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高技術(shù)材料逐漸向薄膜轉(zhuǎn)移，鍍膜期間隨之發(fā)展迅速，靶材是一種具有高附加值的特種電子材料，是濺射薄膜材料的源較。陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)材料，已得到從未有過(guò)的發(fā)展，靶材市場(chǎng)規(guī)模日益膨脹。國(guó)內(nèi)的陶瓷平面靶材主要采用燒結(jié)及綁定工藝，可生產(chǎn)非常大長(zhǎng)度600mm，非常大寬度400mmm，非常大厚度30mm，圓角、斜邊、臺(tái)階等異形根據(jù)客戶要求加工。

　　陶瓷靶材的特性要求：

　　（1）純度：陶瓷靶材的純度對(duì)濺射薄膜的性能影響很大，純度越高，濺射薄膜的均勻性和批量產(chǎn)品的質(zhì)量的一致性越好。幾年來(lái)，隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴(yán)格，其純度必須大于4N。平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N。

　　（2）密度：為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密實(shí)，濺射顆粒的密度月底，放電現(xiàn)場(chǎng)就越弱，薄膜的性能也越好。

　　（3）成分與結(jié)構(gòu)均勻性：為保證濺射薄膜均勻，尤特在復(fù)雜的大面積鍍膜應(yīng)用中，必須做到靶材成分與結(jié)構(gòu)均勻性好。

　　濺射陶瓷靶材的制備，常用的成型方法有干壓成型、冷等靜壓成型等。冷等靜壓成型由于具有坯體密度高而且均勻，磨具制作方便，成本較低等優(yōu)點(diǎn)，故而成為較常用的成型方法。陶瓷靶材的燒結(jié)常采用常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)及氣氛燒結(jié)等方法。